定向碳纳米管（A-CNT）薄膜有望成为构建场效应晶体管（fet）的理想通道材料，其性能优于传统晶体管，并开发了多种方法来制备高半导体纯度、良好定向和高密度的A-CNT薄膜。然而，报道的基于a - cnts的fet几乎都是耗尽模式的fet，且阈下摆动（SS）较差。在本研究中，通过系统优化通道材料和CNT/高k/金属栅极堆栈，制备了基于A-CNT薄膜的增强模（e-模）fet。顶栅a - cnt fet的载流子迁移率最高达到1850 cm（2）V-1 s（-1），接近化学气相沉积法生长单个碳纳米管时的迁移率，创下了A-CNT薄膜中的最高记录。制造的200nm栅长p型CNTFET的关键参数SS=73mv/dec，跨导1mS（mu）/m，在-1V偏置下电流达1.18mA（mu）/m，表现出比商用硅基同等栅长晶体管优异的性能。基于高性能、均匀的e模场效应晶体管，经过优化设计，制备了级数为5、7、9和11的环形振荡器，在碳纳米管和其他基于纳米材料的ic中，记录传播门延迟为11.3 ps。中心彭练矛主任和张志勇副主任参与撰写，该文章发表在Advanced Functional Materials2021, Early Access。

文章链接：https://doi.org/10.1002/adfm.202104539