碳纳米管（CNT）场效应晶体管（fet）和集成电路（ICs）已经被预测和证明是最有希望的抗辐射电子器件。目前的研究主要集中在整个晶体管的辐射响应上，缺乏揭示不同器件辐射响应细节的实验或分析。在这里，我们使用了一种可控的实验方法来解耦总电离剂量（TID）辐射对顶栅碳纳米管fet不同组分的影响，包括碳纳米管通道、栅介质和衬底。在fet中，衬底比栅介质和碳纳米管薄膜更容易受到辐射损伤。此外，碳纳米管薄膜不仅起到了辐射硬化半导体通道的作用，而且通过部分屏蔽基片免受辐射损伤，保护了通道/基片界面。在实验数据的基础上，建立了能承受至少155 kGy辐照的碳纳米管顶门栅fet的辐照极限预测模型。中心张志勇副主任参与撰写，该文章发表在ACS Applied Materials & Interfaces 2021, 13, 47756-47763。