北京大学碳基电子学研究中心是北京大学为发展未来碳纳米管电子学而成立的校级研究中心。 中心为实体研发机构，于2019年正式获批成立。

机构定位

支撑北京大学双一流发展方向“碳基电子学”；成为碳基器件和集成电路技术原始创新策源地、碳基集成电路产业化引领者，打造碳基集成电路完整产业生态链。

发展目标

发展新型纳米电子器件及其集成电路技术，发展和完善碳纳米管集成电路标准化工艺，充分利用硅基微电子半个多世纪发展历程中所积累的经验和技术，解决碳基集成电路产业化面临的关键技术问题，培养碳基电子高端人才。打造具有国际领先水平的碳基集成电路研究中心，加快推进碳基集成电路产业化发展，催生完整的碳基集成电路产业链条。

研究成果

经过近二十年的耕耘，在科技部、北京市科委、国家自然科学基金委和北京大学等的共同支持下，团队在碳基电子器件相关材料和制备工艺的研究中取得系列突破:无掺杂 CMOS 技术、亚10 纳米栅长CMOS 器件、超低功耗狄拉克源碳基晶体管器件、碳纳米管CMOS晶体管晶圆级制备技术、碳管发光和光电二极管、碳管光伏倍增效应等、晶圆级高纯半导体碳纳米管阵列薄膜技术，基本解决了ITRS给出的碳管材料和器件的挑战，为推进碳基集成电路的实用化发展奠定了基础。

目前获得了近百项发明专利，在相关领域的国际顶级期刊上发表200余篇论文，包括4篇Science和7篇NatureElectronics，被多家网站和杂志（包括Nature）报导。工作入选 2011 年度“中国科学十大进展”，2017年度“中国高校十大科技进展”，2020年“中国半导体十大进展”；获得国家自然科学二等奖两项；教育部自然科学一等奖一项；有15 项成果被写入 2009，2011，2013 版的国际半导体路线图(ITRS)的新型研究材料(Emerging Research Materials)和新型研究器件(Emerging Research Devices)报告，引起了国际同行的高度重视。

2000年中国高校十大科技进展；

2000中国基础科学研究十大新闻；

2010年国家自然科学二等奖；

2011年度中国科学十大进展；

2016年国家自然科学二等奖；

2017年中国高校十大科技进展；

2018年全国科技创新中心重大标志性原创成果；

2020年中国半导体十大进展；

研究队伍

碳基电子学研究中心主任彭练矛，中心副主任张志勇、蒋见花。现有研究人员80余人，其中专职研究人员15人，兼职研究人员15人，行政人员2人，博士后2人，研究生50余人。在彭练矛院士带领下，组建了一支由资深教授、副教授、新体制研究员和副研究员、助理教授、助理研究员，老中青结合，富有创新精神和战斗力的队伍。