专利名称：

  1. 一种提高碳纳米管平行阵列密度的方法

  2. 一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法

  3. 基于光纤和纳米操纵器的纳米材料光学表征方法及其系统

  4. 利用调制的复合一维纳米材料制备单电子器件的方法

  5. 一种单根碳纳米管电子场发射阴极及其制备方法

  6. 电子发射源的制备方法

  7. 利用不同频率的光信号实现逻辑器件选址的方法

  8. 一种碳纳米管纳电子器件及其制备方法

  9. 一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法

  10. 自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法

  11. 一种基于半导体纳米材料的CMOS电路及其制备

  12. 基于石墨烯的霍尔集成电路制备方法

  13. 碳基纳米管及其制备方法和应用

  14. 纳米碳管/纳米铁磁性金属线复合材料及其制法