教育经历：

2012-2016 西北工业大学 微电子学 学士

2016-2023 北京大学 微电子学与固体电子学 博士

研究经历：

2023-至今 北京大学 工程师

自我介绍（200字左右）：

长期从事半导体器件制备和工艺分析优化。

重要研究成果：

 成果发表（期刊文章）

(1) Haozhe Sun; Wen Lei; Jianguo Chen; Yufeng Jin; Maojun Wang ; Bias-Dependent Conduction-Induced Bimodal Weibull Distribution of the Time-Dependent Dielectric Breakdown in GaN MIS-HEMTs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(10): 5503-5508.

(2) Haozhe Sun; Wei Lin; Ruiyuan Yin; Jianguo Chen; Yilong Hao; Bo Shen; Maojun Wang; Yufeng Jin ; Evaluation of the border traps in LPCVD Si3N4/GaN/AlGaN/GaN MIS structure with long time constant using quasi-static capacitance voltage method, Japanese Journal of Applied Physics, 2022, 61(7): 076502.

(3) Haozhe Sun; Qi Cheng; Yufeng Jin; Maojun Wang; Zhenchuan Yang ; A High PH Sensitivity and Linearity PH Sensor Based on a High Electron Mobility Transistor (HEMT) in Series with a Schottky Barrier Diode (SBD), The 25th International Conference on Miniaturized Systems for Chemistry and Life Sciences (μTAS 2021): MicroTAS 2021.

(4) Haozhe Sun; Maojun Wang; Yufeng Jin ; Effect of cap layer on the trap states in Si3N4/AlGaN/GaN MIS structure with LPCVD grown gate dielectric, 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics: TWHM 2022.

重点参与项目：

国家重点研发计划 基于低维与柔性材料的MEMS工艺研究

国家重点研发计划 碳基太赫兹器件与收发芯片研究

重大研究计划  碳基芯片中的高性能低功耗碳基晶体管栅界面

目前主要研究方向：

碳基器件可靠性