研究领域：

微波器件

毫米波与太赫兹集成电路

教育经历：

哈尔滨工业大学     电磁场与微波技术 工学硕士

德国亚琛工业大学  电气工程 工学博士

研究经历：

2010.10-2015.11 德国亚琛工业大学(RWTH Aachen)高频电子研究所(HFE) 助理研究员

2015.12-2019.01 德国莱布尼茨-创新高性能微电子研究所(IHP) 助理研究员

2019.02-2021.11 德国弗劳恩霍夫-光学微系统研究所纳米技术中心(Fraunhofer-IPMS CNT) 博士后

2021.12-至今       北京大学电子学院碳基电子学研究中心,副研究员 主要从事碳基射频电子器件与单片微波集成电路的研究

自我介绍：

北京大学电子学院碳基电子学研究中心副研究员，长期从事高性能射频电路和毫米波与太赫兹集成电路的芯片设计。曾获哈尔滨工业大学电磁场与微波技术工学硕士学位、德国亚琛工业大学电气工程工学博士学位。先后任职于德国微电子研究中心（FMD）的两个研究机构（莱布尼茨协会的IHP和弗劳恩霍夫协会的IPMS-CNT），曾承担IPMS-CNT在德国联邦教育和研究部 (BMBF) 资助的项目（T-KOS）中与IHP的合作，针对德国通信和传感技术领域对太赫兹技术进行首次协同开发。在相关领域有IHP SiGe 130 nm BiCMOS、GF FD-SOI 22nm CMOS 和XFAB 180 nm SOI CMOS的（>10次）的流片设计的前沿研究技术。部分研究成果已应用于德国罗德与施瓦茨公司与IHP开发的D波段6G和汽车雷达无线测试装置及德国宇航中心与IHP合作研制的500 GHz太赫兹气体频谱仪上。连续4届（51-54）被微波领域顶会国际微波周（IMS Microwave Week）邀请做口头报告，并长期担任IEEE TMTT、MWCL等微波领域国际顶刊审稿人。

近五年发表的代表性论文：

基于IHP锗硅工艺130 nm BiCMOS的240 GHz 和 500 GHz的系列太赫兹收发组件与片上探测系统以及基于Global Foundries 22nm FD-SOI CMOS的毫米波雷达前端。

参与欧洲领导力电子元件和系统ECSEL的欧洲重大专项3项（BEYOND5，OCEAN12，WAKeMeUP) 以及德国DFG及BMBF的太赫兹芯片项目2项(THz-LoC，T-KOS)。

发明专利：

1.基于碳纳米管场效应晶体管的压控振荡器，王德甫，张志勇，彭练矛，国内发明专利申请，202211285072.6

期刊论文：

1. D. Wang, M. H. Eissa, K. Schmalz, T. Kämpfe and D. Kissinger, "240-GHz Reflectometer-Based Dielectric Sensor With Integrated Transducers in a 130-nm SiGe BiCMOS Technology," in IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 69, no. 1, pp. 1027-1035, Jan. 2021

2.D. Wang, M. H. Eissa, K. Schmalz, J. Yun, A. Malignaggi, J. Borngräber, M. Kucharski, T. Kämpfe, K. Seidel, H. J. Ng and D. Kissinger,"240-GHz Four-Channel Power-Tuning Heterodyne Sensing Readout System With Reflection and Transmission Measurements in a 130-nm SiGe BiCMOS Technology," in IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 67, no. 12, pp. 5296-5306, Dec. 2019

3.D. Wang, M. H. Eissa, K. Schmalz, T. Kämpfe and D. Kissinger, "480-GHz Sensor With Subharmonic Mixer and Integrated Transducer in a 130-nm SiGe BiCMOS Technology," in IEEE Microwave and Wireless Components Letters, vol. 30, no. 9, pp. 908-911, Sept. 2020

4.M. Kucharski, M. H. Eissa, A. Malignaggi, D. Wang, H. J. Ng and D. Kissinger, "D-Band Frequency Quadruplers in BiCMOS Technology," in IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 53, no. 9, pp. 2465-2478, Sept. 2018

5.D. Wang, K. Schmalz, M. H. Eissa, J. Borngräber, M. Kucharski, M. Elkhouly, M. Ko, H. J. Ng and D. Kissinger, "Integrated 240-GHz Dielectric Sensor With dc Readout Circuit in a 130-nm SiGe BiCMOS Technology," in IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 66, no. 9, pp. 4232-4241, Sept. 2018