研究领域：

宽禁带半导体功率器件

新沟道存储器件

柔性射频器件

教育经历：

2012.09-2016.07 重庆大学 应用物理学 学士

2016.09-2022.07 华中科技大学 微电子学与固体电子学 博士

工作履历/科研教育经历：

2020.09至今为北京大学电子学院博士后，主要从事半导体微纳电子器件制备与电学测量，包括：1.基于宽禁带半导体氮化镓的大电流、高击穿及低界面态的功率器件；2.基于超薄氧化物沟道的高性能逻辑、存储与射频器件等。在国际知名期刊IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices及Journal of the Electron Devices Society等上发表文章。

重要研究成果：

期刊论文：

1.Hu Q. L., Li S. C., Li T. Y., Wang X., Li X. F., Wu Y. Q., “Channel engineering of normally-OFF AlGaN/GaN MOS-HEMTs by atomic layer etching and high-κ dielectric”.IEEE Electron Device Letters, 2018, 39 (9): 1377-1380.

2.Hu Q. L., Hu B., Gu C. R., Li T. Y., Li X. F., Wu Y. Q., “Improved current collapse in recessed AlGaN/GaN MOS-HEMTs by interface and structure engineering”.IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66 (11): 4591-4596.

3.Hu Q. L., Gu C. R., Zhan D., Li X. F., Wu Y. Q., “Improved low-frequency noise in recessed-gate E-mode AlGaN/GaN MOS-HEMTs under electrical and thermal stress”.Journal of the Electron Devices Society, 2021, 9: 511-516.

主要获奖情况：

1.华中科技大学强磁场中心Poster大赛一等奖

2.重庆大学优秀本科毕业设计

3.重庆大学国家奖学金

4.重庆大学精神文明建设先进个人