研究领域：
高半导体纯度碳纳米管溶液制备
碳纳米管网络和阵列薄膜制备
碳纳米管CMOS器件
碳纳米管薄膜晶体管器件
碳纳米管射频电子
碳纳米管显示电子
教育经历：
2008.09-2012.07 北京大学 微电子学学士 经济学学士（双学位）
2012.08-2017.05 美国南加利福尼亚大学 电子工程博士
研究经历：
2017.06-2018.06 美国Intel公司 逻辑技术研发部（Ronler Acres Campus）工艺集成工程师
2018.06-2021.03 中国科学院空间应用工程与技术中心 电子信息室 副研究员 硕士生导师
2021.03-至今 北京大学碳基电子学研究中心 副研究员
自我介绍：
北京大学碳基电子学研究中心副研究员，研究方向为碳纳米管电子学。获北京大学微电子学理学学士学位、经济学学位（双学位），美国南加州大学电子工程博士学位。曾担任美国英特尔公司（Intel）逻辑技术研发部工艺集成工程师，中国科学院空间应用工程与技术中心副研究员、硕士生导师，入选中国科学院率先行动“百人计划”。在Nature Communications、ACS Nano、Nano Research、Carbon等杂志发表多篇论文。
重要研究成果：
期刊论文：
1.Cao, Y.; Brady, G. J.; Gui, H.; Rutherglen, C.; Arnold, M. S.; Zhou, C. Radio Frequency Transistors Using Aligned Semiconducting Carbon Nanotubes with Current-Gain Cutoff Frequency and Maximum Oscillation Frequency Simultaneously Greater Than 70 GHz. ACS Nano 2016, 10, 6782-6790.
2.Cao, Y.; Che, Y. C.; Gui, H.; Cao, X.; Zhou, C. W. Radio Frequency Transistors Based on Ultra-High Purity Semiconducting Carbon Nanotubes with Superior Extrinsic Maximum Oscillation Frequency. Nano Research 2016, 9, 363-371.
3.Cao, X.; Cao, Y.*; Zhou, C. W. Imperceptible and Ultraflexible P-Type Transistors and Macroelectronics Based on Carbon Nanotubes. ACS Nano 2016, 10, 199-206. (*:co-first author)
4.Cao, Y.; Che, Y. C.; Seo, J. W. T.; Gui, H.; Hersam, M. C.; Zhou, C. W. High-Performance Radio Frequency Transistors Based on Diameter-Separated Semiconducting Carbon Nanotubes. Applied Physics Letters 2016, 108.
5.Cao, Y.; Cong, S.; Cao, X.; Wu, F.; Liu, Q.; Amer, M. R.; Zhou, C. Review of electronics based on single-walled carbon nanotubes. Topics in current chemistry 2017, 375, 75.
6.Chen, H. T.; Cao, Y.; Zhang, J. L.; Zhou, C. W. Large-Scale Complementary Macroelectronics Using Hybrid Integration of Carbon Nanotubes and IGZO Thin-Film Transistors. Nature Communications 2014, 5.
7.Cong, S.; Cao, Y.; Fang, X.; Wang, Y.; Liu, Q.; Gui, H.; Shen, C.; Cao, X.; Kim, E. S.; Zhou, C. Carbon Nanotube Macroelectronics for Active Matrix Polymer-Dispersed Liquid Crystal Displays. ACS Nano 2016.
8.Cao, X.; Chen, H. T.; Gu, X. F.; Liu, B. L.; Wang, W. L.; Cao, Y.; Wu, F. Q.; Zhu, C. W. Screen Printing as a Scalable and Low-Cost Approach for Rigid and Flexible Thin-Film Transistors Using Separated Carbon Nanotubes. ACS Nano 2014, 8, 12769-12776.
9.Esqueda, I. S.; Cress, C. D.; Cao, Y.; Che, Y.; Fritze, M.; Zhou, C. The Impact of Defect Scattering on the Quasi-Ballistic Transport of Nanoscale Conductors. Journal of Applied Physics 2015, 117.
10.Yao, M. Q.; Huang, N. F.; Cong, S.; Chi, C. Y.; Seyedi, M. A.; Lin, Y. T.; Cao, Y.; Povinelli, M. L.; Dapkus, P. D.; Zhou, C. W. Gaas Nanowire Array Solar Cells with Axial P-I-N Junctions. Nano Letters 2014, 14, 3293-3303.
11.Esqueda, I. S.; Cress, C. D.; Che, Y. C.; Cao, Y.; Zhou, C. W. Charge Trapping in Aligned Single-Walled Carbon Nanotube Arrays Induced by Ionizing Radiation Exposure. Journal of Applied Physics 2014, 115.
12.Wei, M.; Robin, M.; Portilla, L.; Ren, Y.; Shao, S.; Bai, L.; Cao, Y.; Pecunia, V.; Cui, Z.; Zhao, J., Air-stable N-type printed carbon nanotube thin film transistors for CMOS logic circuits. Carbon 2020, 163, 145-153.
13.Fang Liu, Xingxing Chen, Haoming Liu, Jie Zhao, Meiqi Xi, Hongshan Xiao, Tongkang Lu, Yu Cao, Yan Li, Lianmao Peng, Xuelei Liang,High-yield and low-cost separation of high-purity semiconducting single-walled carbon nanotubes with closed-loop recycling of raw materials and solvents. Nano Research 2021, 14, 4281–4287.
14.F Liu, X Chen, M Xi, N Wei, L Bai, L Peng, Y Cao, X Liang, Comparative study of the extraction selectivity of PFO-BPy and PCz for small to large diameter single-walled carbon nanotubes. Nano Res. 2022.
发明专利：
1.Screen printing systems and techniques for creating thin-film transistors using separated carbon nanotubes, Chongwu Zhou, Xuan Cao, Haitian Chen, Bilu Liu, Yu Cao, Xiaofei Gu, Wenli Wang, Fanqi Wu, 国际发明专利申请，WO2016094580A1.
2.一种制备大面积均匀的碳纳米管网络薄膜的方法，曹宇，白兰，国内发明专利申请，201911242117.X。
3.一种超高纯度半导体性碳纳米管溶液的制备方法，曹宇，白兰，国内发明专利申请，201911242150.2。
4.一种制备半导体性碳纳米管准阵列薄膜的方法，曹宇，白兰，国内发明专利申请，201911243407.6。
5.一种制备半导体性碳纳米管阵列薄膜的方法，曹宇，白兰，国内发明专利申请，201911398594.5。
6.一种石墨烯晶体管的制备方法，魏芹芹，崔晓锐，尹金泽，曹宇，魏子钧，赵华波，傅云义，黄如，张兴，国内发明专利授权，CN102339735B。
7.一种碳基纳米材料晶体管的制备方法，魏芹芹，崔晓锐，尹金泽，曹宇，魏子钧，赵华波，傅云义，黄如，张兴，国内发明专利授权，CN102354668B。
8.基于纳米材料的N型晶体管及制备方法，刘晨晨，曹宇，张志勇，国内发明专利申请，202210482553.X。
9.去除碳纳米管材料的表面聚合物的方法及CMOS器件，刘晨晨，曹宇，张志勇，国内发明专利申请，202210481275.6。
10.晶体管及其制备方法，林艳霞，曹宇，张志勇，国内发明专利申请，202210447049.6。
11.半导体晶体管及其制备方法，林艳霞，曹宇，张志勇，国内发明专利申请，202210633284.2。
12.一种可降解共轭聚合物、制备方法及应用，白兰，曹宇，梁学磊，陈醒醒，国内发明专利申请，202210354231.7。
13.一种本征型半导体碳纳米管的制备方法，白兰，曹宇，梁学磊，陈醒醒，国内发明专利申请，202210387364.4。
14.基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法，曹宇，白兰，梁学磊，陈醒醒，国内发明专利申请， 202210387265.6。
主要获奖情况：
1.2018年中国科学院率先行动“百人计划”
2.2018年北京市优秀人才培养资助青年骨干个人
3.2016国家优秀自费留学生奖学金
4.2016–2017 Ming-Hsieh Institute博士生奖学金, 南加州大学
5.2010年北京大学“五四”奖学金
6.2009年北京大学光华奖学金
