碳纳米管凭借其优良的电学性质、准一维尺寸以及稳定的结构成为后摩尔时代最理想的半导体材料。目前碳基电子学已经取得很大进展，例如可以在4寸晶圆上得到高半导体纯度（超过99.9999%）的密排（100~200CNTs/μm）阵列碳纳米管,晶体管栅长可以缩至5nm且具备超越硅基的性能,世界首个碳基现代微处理器RV16X-NANO已经问世。中心副主任张志勇教授、博士刘晨晨应邀著文综述了近年来碳纳米管在材料、器件和集成电路方面的发展,以及未来可能在光电、传感、显示和射频等领域的应用前景。最后，文章列举了碳基CMOS集成电路推向产业化的过程中面临的一系列挑战,并对碳基技术发展路线做了进一步展望。该文发表在《中国科学杂志社》，发表日期：2021年5月20日。