RF cntfet是在不久的将来最有希望超越现有RF- cmos技术的器件之一。在130nm技术上优于Si CMOS的概念实验证明已经实现，并且有巨大的改进潜力。本文对不同碳纳米管集成技术、实现的射频结果以及演示的射频电路进行了编译和比较。此外，本文还提出了进一步提高碳纳米管fet射频性能的方法，以实现更深入的基于碳纳米管fet的系统，如柔性衬底、高密度3D堆栈、与现有技术异质结合或芯片上的全碳纳米管系统。中心彭练矛主任和丁力参与撰写，该文章发表在IEEE Journal of Microwaves 2021,1, 1。