半导体单壁碳纳米管由于其超小的管径（1-3 nm）、超高的本征迁移率（大于100000cm²/(Vs)）和超长的载流子平均自由程（一般大于1μm），而被作为下一代集成电路最重要的备选材料。然而要实现碳纳米管在集成电路上的优势，最关键的就是获得符合集成电路要求的碳纳米管材料：半导体性碳纳米管的纯度大于99.9999%，并且需要以单分散的状态等间距（5nm-10nm）均匀排列在整个晶圆上。北京大学团队最近开发的多次提纯方案，成功把半导体碳纳米管的纯度做到99.99995%的水平,并且在碳纳米管自组装方面，该课题组也开创性的发明了“维度限制法”的技术方案，成功的在8英寸基底上实现了全覆盖高密度的碳纳米管平行阵列的制备，引起国际社会高度关注。该研究成果发表在Science 368 (2020) 850。